50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
封裝
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
規格書
27,856庫存量
63,000預期6/5/2026
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
2,071庫存量
3,000預期3/6/2026
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 400 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 12,000
倍數： 12,000
捲: 12,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 12,000
倍數： 12,000
捲: 12,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 400 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel