NTH4L013N120M3S

onsemi
863-NTH4L013N120M3S
NTH4L013N120M3S

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 180

庫存：
180
可立即送貨
在途量:
450
預期18/3/2026
工廠前置作業時間：
22
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$267.73 HK$267.73
HK$197.36 HK$1,973.60
HK$196.79 HK$19,679.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
151 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
254 nC
- 55 C
+ 175 C
682 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: SIngle
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 10 ns
互導 - 最小值: 57 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 23 ns
系列: NTH4L013N120M3S
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 56 ns
標準開啟延遲時間: 22 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L022N120M3S碳化矽(SiC) MOSFET

onsemi NTH4L022N120M3S M3S碳化矽(SiC) MOSFET是具有1200V M3S平面SiC MOSFET的系列產品。onsemi NTH4L022N120M3S針對快速切換應用進行了優化。平面技術可透過負柵極電壓驅動實現，並在柵極上關閉尖峰。這些MOSFET在採用18V柵極驅動時具有最佳性能，同時還可充分利用15V柵極驅動。

雲端電源管理解決方案

安森美 (onsemi) 雲端電源管理解決方案為基礎設施提供基礎運算及連接功能，對於處理器、記憶庫以及無線基地台的供電而言至關重要。隨著作業轉移至雲端，效率和可靠性的重要性日益提升。AI伺服器尤其需要可靠的電源以確保最佳效能和效率，因此對於AI驅動的作業而言，安森美解決方案對於保持其完整性和功能性極為關鍵。安森美提供各種AC/DC轉換、多相轉換、負載點電源和熱插拔保護解決方案，可滿足雲端基礎設施的不同電源需求。憑藉其尖端科技、可靠的性能以及深厚的應用專業知識，不論是對於現代的基地台、伺服器或資料中心，安森美都是能滿足供電需求的理想夥伴。

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