NVH4L070N120M3S-IE

onsemi
863-H4L070N120M3S-IE
NVH4L070N120M3S-IE

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於onsemi NVH4L070N120M3S-IE的資訊

供貨情況

庫存：
0

您仍可購買此商品作為延期交貨訂單。

在途量:
450
預期13/3/2026
工廠前置作業時間：
18
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$124.29 HK$124.29
HK$90.75 HK$907.50
HK$81.62 HK$9,794.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
34 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
品牌: onsemi
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 8.8 ns
互導 - 最小值: 12 S
封裝: Tube
產品: MOSFET
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 11 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 29 ns
標準開啟延遲時間: 9.2 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

ON Semiconductor NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The ON Semiconductor NVH4L022N120M3S features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。