FFSH3065B

onsemi
863-FFSH3065B
FFSH3065B

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 SIC DIODE 650V

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$54.33 HK$54.33
HK$33.37 HK$333.70
HK$28.69 HK$12,910.50
HK$27.29 HK$24,561.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
30 A
650 V
1.38 V
110 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH3065B
Tube
品牌: onsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 268 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 450
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 650 V
每件重量: 9.140 g
找到產品:
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V SiC肖特基二極體

安森美 (onsemi) 650 V SiC肖特基二極體為基於矽的裝置提供卓越的開關性能及更高的可靠性。這些SiC肖特基二極體無反向恢復電流，具有溫度獨立開關及卓越的熱性能。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。

FFSH SiC蕭特基二極體

onsemi FFSH Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved system efficiency and have a max junction temperature of 175ºC. These Schottky Diodes have no switching loss and a high surge current capacity. The diodes use Silicon Carbide semiconductor material for higher operating frequency, increasing power density and reduction of system size/cost. This ensures high reliability and robust operation during surge or over-voltage conditions.

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