NVDSH20120C

onsemi
863-NVDSH20120C
NVDSH20120C

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 330

庫存：
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8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$96.26 HK$96.26
HK$58.44 HK$584.40
HK$53.92 HK$6,470.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.38 V
119 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
NVDSH20120C
Tube
品牌: onsemi
Pd - 功率消耗 : 214 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 30
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

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