SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET是高電壓超級結(SJ)N通道MOSFET,設計用於滿足電訊、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及太陽能產品的高功率密度、系統效率及出色的可靠性要求。這些裝置融合一流可靠性、低EMI、卓越效率及卓越的熱性能,使它們成為高性能應用的理想選擇。憑藉其性能特性, SuperFET III MOSFET提供的廣泛封裝選項可為產品設計師提供高度靈活性,特別是尺寸受限的設計。

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
onsemi MOSFET SF3 FAST 125MOHM PQFN88 6,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FAST 190MOHM PQFN88 6,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88 960庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88 2,796庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 110MOHM PQFN88 3,356庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SF3 FAST 95MOHM PQFN88 2,850庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
2,998預期20/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel