NVBYST0D6N08XTXG

onsemi
863-NVBYST0D6N08XTXG
NVBYST0D6N08XTXG

製造商:

說明:
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 972

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單價:
HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$61.07 HK$61.07
HK$44.72 HK$447.20
HK$36.25 HK$3,625.00
HK$32.22 HK$16,110.00
HK$30.41 HK$30,410.00
完整捲(訂購多個1500)
HK$24.82 HK$37,230.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TCPAK1012
N-Channel
1 Channel
80 V
767 A
640 uOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
228 nC
- 55 C
+ 175 C
750 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: SIngle
下降時間: 26 ns
互導 - 最小值: 200 S
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFETs
上升時間: 60 ns
系列: NVBYST0D6N08X
原廠包裝數量: 1500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 106 ns
標準開啟延遲時間: 55 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET offers a low QRR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package. This MOSFET has a low RDS(on) to minimize conduction losses and a low QG and capacitance to minimize driver losses. The onsemi NVBYST0D6N08X is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, lead-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant. A typical application for this MOSFET is Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC, a primary switch in an isolated DC-DC converter, motor drives, and automotive 48V systems.