FFSM0465A

onsemi
863-FFSM0465A
FFSM0465A

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 SiC Diode 650V 4A

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$32.80 HK$32.80
HK$21.54 HK$215.40
HK$15.12 HK$1,512.00
HK$13.23 HK$6,615.00
HK$12.74 HK$12,740.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$12.74 HK$38,220.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
PQFN-5
Single
4 A
650 V
1.5 V
21 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSM0465A
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: onsemi
Pd - 功率消耗 : 43 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 3000
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 650 V
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

650V SiC肖特基二極體

安森美 (onsemi) 650 V SiC肖特基二極體為基於矽的裝置提供卓越的開關性能及更高的可靠性。這些SiC肖特基二極體無反向恢復電流，具有溫度獨立開關及卓越的熱性能。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。

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