NXH010P120MNF1PTG

onsemi
863-XH010P120MNF1PTG
NXH010P120MNF1PTG

製造商:

說明:
MOSFET模組 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM

ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Press Fit
- 15 V, + 25 V
- 40 C
+ 150 C
NXH010P120MNF1
Tray
品牌: onsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: MOSFET Modules
原廠包裝數量: 28
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: EliteSiC
類型: Half Bridge
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
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所選屬性: 0

CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
KRHTS:
8541599000
TARIC:
8541590000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.