單N通道功率MOSFET

安森美 (onsemi) 單N通道功率 MOSFET設計用於高效率的小尺寸緊湊型設計。這些功率MOSFET具備低RDS(ON) 、低QG及低電容,可最大程度降低傳導與驅動器損耗。這些MOSFET提供40V、60V及80V汲極至源極電壓,以及±20V閘極至源極電壓。安森美 (onsemi) 單N通道功率MOSFET無鉛且符合RoHS標準。

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
onsemi MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF 1,816庫存量
9,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 1,988庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 121庫存量
13,500預期3/3/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 1 Channel 80 V 156 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2,064庫存量
3,000預期10/3/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape