Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification. 

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 30 Amps 600V
規格書
305預期4/8/2026
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
規格書
930工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 40 Amps 500V
規格書
330工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 30 Amps 500V
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube