Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (trr <=250ns). 

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
規格書
134庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 42 A 145 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W Polar2 HiPerFET Tube