結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
規格書
358庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 96 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 234 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
規格書
888庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 184 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
規格書
479庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 275 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 109 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube