TGF3021-SM

Name: Qorvo TGF3021-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3021-SM
Price: 1535.74 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

772-TGF3021-SM

製造商編號：

TGF3021-SM

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr

規格書:

TGF3021-SM 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	QFN-20
Vds - 漏-源擊穿電壓:	32 V
Id - C連續漏極電流:	1.8 A
品牌:	Qorvo
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
最大工作頻率:	4 GHz
最低工作頻率:	30 MHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	30 W
封裝:	Waffle
產品類型:	GaN FETs
系列:	TGF3021
原廠包裝數量:	20
子類別:	Transistors
技術:	GaN-on-SiC
零件號別名:	TGF3021 1121772
每件重量:	10.012 g

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規格書

TGF3021-SM 規格書 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.