QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 57庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 100庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 305庫存量
700在途量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W