碳化矽(SiC) MOSFET

與傳統的矽(Si)功率MOSFET相比,Microsemi/Microchip碳化矽(SiC) MOSFET具有良好的動態及熱性能。這些MOSFET具有低電容、低閘極電荷、快速開關速度及良好的高雪崩耐受性。碳化矽MOSFET能夠在175°C的高結溫下穩定工作。這些MOSFET提供高效率及低開關損耗。這些碳化矽MOSFET無需任何續流二極體,可降低系統成本。典型應用包括智能電網輸配電、感應加熱及焊接、供電及配電。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247 142庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247 178庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247 114庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 9庫存量
180預期16/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247 136庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247 158庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement