CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,992庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,756庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,569庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,960庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,868庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
2,000預期23/4/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement