IMW65R075M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMW65R075M2HXKSA
IMW65R075M2HXKSA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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在途量:
240
工廠前置作業時間：
22
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$52.61 HK$52.61
HK$31.07 HK$310.70
HK$25.98 HK$2,598.00
HK$24.99 HK$11,995.20

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
26.6 A
95 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
14.9 nC
- 55 C
+ 175 C
111 W
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: CN
擴散國: Not Available
原產國: AT
下降時間: 5.5 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFET
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 10.6 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
標準斷開延遲時間: 12.8 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率，這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站，可比前一代產品減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。

CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET可在所有常見功率變換應用（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中達到最高品質標準的同時，實現優異的SiC性能水準。SiC MOSFET可為光電變換器、儲能系統、電動車充電、電源供應器和馬達驅動器提供比Si替代品更高的性能。英飛凌CoolSiC G2 MOSFET進一步推進了獨特的XT互連技術 (例如TO-263-7和TO-247-4分立式外殼)，克服了在保持散熱能力的同時提高半導體晶片性能的共同挑戰。G2的散熱能力提高了12%，將晶片的性能提升至SiC性能的強勁水平。

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