CoolMOS™ 7超級結MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超級結MOSFET在能源效率、功率密度和使用便利性奠定新標準。CoolMOS 7技術採用創新的封裝概念與各種技術,係專為特定應用最佳化。CoolMOS 7 MOSFETS可用來縮小電動車充電站體積,提高其輸出,加快充電速度。CoolMOS 7的推出,使新一代的配接器和充電器體積更為輕巧、效率更優異。有了CoolMOS 7,將幫助工程師推出成本更低、效率更高的再生能源系統。

結果: 5
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 1,747庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 2,122庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,805庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 32庫存量
2,000預期11/3/2027
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape