UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 190.38 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

431-UF3SC065030B7S

製造商編號：

UF3SC065030B7S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7

規格書:

UF3SC065030B7S 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	62 A
Rds On - 漏-源電阻:	27 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	6 V
Qg - 閘極充電:	43 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	214 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	SiC FET
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	11 ns, 9 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC FETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	26 ns, 28 ns
系列:	UF3SC
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
技術:	SiC
類型:	SiC FET
標準斷開延遲時間:	46 ns
標準開啟延遲時間:	23 ns
每件重量:	4.675 g

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規格書

UF3SC065030B7S 規格書

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC高效能SiC FET

UnitedSiC UF3SC高效能SiC FET是首個具有RDS_(on)低於10M Ω的SiC FET裝置，可實現快速切換速度和更低的開關損耗。這基於一種獨特的「共源共柵」電路配置，並具有超低柵極電荷。「共源共柵」配置採用常開 (normally-on) SiC JFET，它與Si MOSFET共同封裝，以構建出常關 (normally-off) SiC FET裝置。UF3SC FET具有標準閘極驅動特性，允許「直接替換」Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結裝置。這些SiC FET包括低本質電容和卓越的反向恢復功能。UF3SC FET以-55°C至+175°C溫度範圍及-20V至+ 20V閘源電壓範圍運行。這些SiC FET理想適用於電動汽車充電、光伏逆變器、電機驅動器、開關模式電源、功率因素校正模組及感應加熱領域。