TK210V65Z,LQ

Toshiba
757-TK210V65ZLQ
TK210V65Z,LQ

製造商:

說明:
MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

ECAD模型:
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供貨情況

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Pricing (HKD)

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HK$14.47 HK$36,175.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
Reel
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 14 ns
系列: DTMOS VI
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 66 ns
標準開啟延遲時間: 34 ns
每件重量: 161.193 mg
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.