TK170V65Z,LQ

Toshiba
757-TK170V65ZLQ
TK170V65Z,LQ

製造商：

說明：
MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個2500）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$38.55 HK$38.55
HK$26.06 HK$260.60
HK$21.21 HK$2,121.00
HK$20.63 HK$10,315.00
HK$18.74 HK$18,740.00
完整捲（訂購多個2500）
HK$16.28 HK$40,700.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
170 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 16 ns
系列: DTMOS VI
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 70 ns
標準開啟延遲時間: 37 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

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