TK155A65Z,S4X

Toshiba
757-TK155A65ZS4X
TK155A65Z,S4X

製造商:

說明:
MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI

ECAD模型:
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庫存量: 76

庫存:
76 可立即送貨
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20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$38.31 HK$38.31
HK$20.06 HK$200.60
HK$17.84 HK$1,784.00
HK$15.04 HK$7,520.00
HK$14.39 HK$14,390.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
155 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 23 ns
系列: DTMOS VI
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 70 ns
標準開啟延遲時間: 44 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.