TK125V65Z,LQ

Toshiba
757-TK125V65ZLQ
TK125V65Z,LQ

製造商：

說明：
MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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包裝:
完整捲（訂購多個2500）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$55.16 HK$55.16
HK$37.24 HK$372.40
HK$27.62 HK$2,762.00
HK$27.54 HK$27,540.00
完整捲（訂購多個2500）
HK$22.44 HK$56,100.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 18 ns
系列: DTMOS VI
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 90 ns
標準開啟延遲時間: 45 ns
每件重量: 161.193 mg
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

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