TK110U65Z,RQ

Toshiba
757-TK110U65ZRQ
TK110U65Z,RQ

製造商：

說明：
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
總價:
HK$-.--
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包裝:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$44.06 HK$44.06
HK$23.43 HK$234.30
HK$21.70 HK$2,170.00
完整捲（訂購多個2000）
HK$20.80 HK$41,600.00
HK$20.71 HK$82,840.00
10,000 報價
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
2-10AF1A-9
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
86 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 18 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 90 ns
標準開啟延遲時間: 45 ns
每件重量: 750 mg
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET提供低漏極導通電阻（RDS(ON)= 0.033Ω（典型值））。這些裝置擁有650V漏源電壓和57A漏極電流。DTMOSVI系列MOSFET提供具有更低電容的高速切換屬性。這些MOSFET理想適用於開關電源應用。

TOLL 封裝型高壓 DTMOS VI MOSFET

TOLL 封裝 Toshiba 高壓 DTMOS VI MOSFET 具有低漏源導通電阻 (Rdson) 和高速開關特性以及較低的電容。這使它們適用於開關電源應用。最新一代 DTMOS VI 提供最低的 RDS(ON)xQgd 品質因數，並採用新的 TOLL 封裝 (9.9 × 11.68 × 2.3mm)，具有開爾文源連接，以減少開啟和關閉損耗。

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