TK110A65Z,S4X

Toshiba
757-TK110A65ZS4X
TK110A65Z,S4X

製造商:

說明:
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

ECAD模型:
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工廠前置作業時間:
20 週 工廠預計生產時間。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$48.09 HK$48.09
HK$25.56 HK$255.60
HK$23.02 HK$2,302.00
HK$19.40 HK$9,700.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 28 ns
系列: DTMOS VI
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 90 ns
標準開啟延遲時間: 52 ns
每件重量: 2 g
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.