TK090U65Z,RQ

Name: Toshiba TK090U65Z,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK090U65ZRQ
Price: 26.3 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

757-TK090U65ZRQ

製造商編號：

TK090U65Z,RQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

規格書:

TK090U65Z,RQ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	2-10AF1A-9
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	30 A
Rds On - 漏-源電阻:	70 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	47 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	230 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
配置:	Single
下降時間:	4 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	20 ns
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	100 ns
標準開啟延遲時間:	50 ns
每件重量:	750 mg

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所選屬性: 0

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規格書

TK090U65Z,RQ 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET提供低漏極導通電阻（R_DS(ON)= 0.033Ω（典型值））。這些裝置擁有650V漏源電壓和57A漏極電流。DTMOSVI系列MOSFET提供具有更低電容的高速切換屬性。這些MOSFET理想適用於開關電源應用。

TOLL 封裝型高壓 DTMOS VI MOSFET

TOLL 封裝 Toshiba 高壓 DTMOS VI MOSFET 具有低漏源導通電阻 (Rdson) 和高速開關特性以及較低的電容。這使它們適用於開關電源應用。最新一代 DTMOS VI 提供最低的 RDS(ON)xQgd 品質因數，並採用新的 TOLL 封裝 (9.9 × 11.68 × 2.3mm)，具有開爾文源連接，以減少開啟和關閉損耗。