TGF2929-FL

Qorvo
772-TGF2929-FL
TGF2929-FL

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
Screw Mount
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
- 40 C
+ 85 C
144 W
品牌: Qorvo
最大工作頻率: 3.5 GHz
最低工作頻率: 0 Hz
濕度敏感: Yes
輸出功率: 100 W
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
系列: TGF2929
原廠包裝數量: 25
子類別: Transistors
技術: GaN-on-SiC
類型: RF Power MOSFET
零件號別名: TGF2929 1123811
每件重量: 64.190 g
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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