T2G6001528-Q3

Qorvo
772-T2G6001528-Q3
T2G6001528-Q3

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN

規格書:
ECAD模型:
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HK$1,071.64 HK$26,791.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
NI-200
品牌: Qorvo
最大工作頻率: 6 GHz
最低工作頻率: 0 Hz
濕度敏感: Yes
輸出功率: 15 W
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
系列: T2G6001528
原廠包裝數量: 100
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: HEMT
零件號別名: T2G6001528 1100001
每件重量: 6.736 g
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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