STGWA8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA8M120DF3
Price: 35.67 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STGWA8M120DF3

製造商編號：

STGWA8M120DF3

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

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規格書:

STGWA8M120DF3 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓:	1.85 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	16 A
Pd - 功率消耗 :	167 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	M
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	600
子類別:	IGBTs

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規格書

STGWA8M120DF3 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-7-29 (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.