STGWA8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA8M120DF3
STGWA8M120DF3

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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規格書:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$33.70 HK$33.70
HK$22.19 HK$221.90
HK$15.62 HK$1,562.00
HK$12.49 HK$7,494.00
HK$11.43 HK$13,716.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
品牌: STMicroelectronics
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
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所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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