STD80N340K6

Name: STMicroelectronics STD80N340K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N340K6
Price: 35.43 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STD80N340K6

製造商編號：

STD80N340K6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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規格書:

STD80N340K6 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$35.43	HK$35.43
	HK$23.34	HK$233.40
	HK$16.52	HK$1,652.00
	HK$15.12	HK$7,560.00
	HK$15.04	HK$15,040.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$12.74	HK$31,850.00
	HK$12.25	HK$61,250.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
Rds On - 漏-源電阻:	340 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	17.8 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	92 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
下降時間:	11 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4.9 ns
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	34 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns
每件重量:	330 mg

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規格書

STD80N340K6 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET is based on the ultimate MDmesh K6 technology built on 20 years of STM experience on super junction technology. The high voltage N-channel power MOSFET offers an ultra-low gate charge and excellent R_DS(on) x area. The ST STP80N240K6 800V Power MOSFET features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.