SSM6N357R,LF

Toshiba
757-SSM6N357RLF
SSM6N357R,LF

製造商:

說明:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

ECAD模型:
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庫存量: 1,106

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6,000
預期25/6/2026
6,000
預期3/7/2026
工廠前置作業時間:
20
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$5.43 HK$5.43
HK$3.35 HK$33.50
HK$2.15 HK$215.00
HK$1.64 HK$820.00
HK$1.46 HK$1,460.00
完整捲(訂購多個3000)
HK$1.19 HK$3,570.00
HK$1.10 HK$6,600.00
HK$1.06 HK$9,540.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
2 Channel
60 V
650 mA
1.8 Ohms
- 12 V, 12 V
1.3 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
MOSV
Reel
Cut Tape
品牌: Toshiba
配置: Dual
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TH
互導 - 最小值: 500 mS
產品類型: MOSFETs
系列: SSM6N357R
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 3000 ns
標準開啟延遲時間: 990 ns
每件重量: 20 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products
may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further assistance.
5-0320-2

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽車解決方案

Toshiba汽車解決方案提供各種設計用於改善駕駛安全的汽車半導體裝置。這包括使用影像識別處理器的進階駕駛員輔助系統(ADAS)。Toshiba提供未來視角的前沿半導體技術以交付全面的駕駛員輔助解決方案。這些解決方案包括模仿人眼及其他複雜人類器官的自助駕駛。

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs

Toshiba SSM6N357R and SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel components designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with two channels, whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These AEC-Q101-qualified MOSFETs feature a 3V gate drive voltage, built-in internal Zener diodes/resistors, and a 2kV class Human Body Model (HBM) ESD rating. The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, +150°C maximum channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy.

SSM6x N通道及P通道MOSFET

Toshiba SSM6x N通道及P通道MOSFET具有高速切換能力,可用作電源管理和類比開關。這些MOSFET針對不同的閘極至源極電壓範圍提供非常低的導通電阻(低至1.1 mΩ,最大115 mΩ)。SSM6x MOSFET採用小型封裝,相容表面黏著。這些MOSFET具有低汲極至源極導通電阻,可用作DC轉DC轉換器,驅動1.2V至4.5V的閘極電壓。Toshiba SSM6x MOSFET的汲極功耗較低(最高150 mW),在12V至100V輸入電壓範圍內作業時發熱最低。