SSM6K407TU,LF

Name: Toshiba SSM6K407TU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K407TULF
Price: 5.01 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

757-SSM6K407TULF

製造商編號：

SSM6K407TU,LF

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package

規格書:

SSM6K407TU,LF 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$5.01	HK$5.01
	HK$3.08	HK$30.80
	HK$1.97	HK$197.00
	HK$1.50	HK$750.00
	HK$1.37	HK$1,370.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.07	HK$3,210.00
	HK$0.986	HK$5,916.00
	HK$0.945	HK$8,505.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	UDFN-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	2 A
Rds On - 漏-源電阻:	440 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	6 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	500 mW
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	MOSV
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TH
產品類型:	MOSFETs
系列:	SSM6K
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	150 ns
標準開啟延遲時間:	30 ns
每件重量:	8.500 mg

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所選屬性: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

篩選文檔:

規格書

SSM6K407TU,LF 規格書 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.