SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

製造商：

說明：
MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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HK$13.40 HK$26,800.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Triple
下降時間: 2 ns, 10 ns, 19 ns
互導 - 最小值: 16 S, 19 S, 65 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 3 ns, 9 ns, 12 ns
系列: SQUN
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel, 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 15 ns, 22 ns, 43 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns, 8 ns, 10 ns
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

整合式MOSFET解決方案

Vishay整合式MOSFET解決方案將多項元件整合至單一晶片，使其擁有更高的功率密度和效率，設計更簡化，而且還能減少材料清單 (BOM) 成本。這些單晶和多晶MOSFET整合了蕭特基二極體與ESD防護等功能。這些MOSFET具備低導通電阻的N和P通道TrenchFET®技術，以及低熱阻。

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

N和P通道對組熱強化MOSFET

Vishay N和P通道對組熱強化MOSFET將N通道和P通道的MOSFET對組整合到同一封裝內。這些N和P通道MOSFET的用意是將導通電阻 (RDS(on)) 降到最低，同時維持出色的切換效能。此外，將N通道和P通道MOSFET結合到同一IC內，還可節省PCB空間，簡化應用設計。

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