SQJ850EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQJ850EP-T2_GE3
SQJ850EP-T2_GE3

製造商：

說明：
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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零卷 / MouseReel™ †
HK$16.52 HK$16.52
HK$10.60 HK$106.00
HK$7.12 HK$712.00
HK$5.66 HK$2,830.00
HK$5.22 HK$5,220.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$4.58 HK$13,740.00
HK$4.34 HK$26,040.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
60 V
24 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
產品類型: MOSFETs
系列: SQJ
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SQJ汽車用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ汽車用MOSFET為TrenchFET® Gen IV N通道40 VDS功率MOSFET。這些MOSFET符合AEC-Q101標準，100%通过Rg和未壓接電感性開關(UIS)測試，低於1 Qgd/Qgs比率，切換特性經過最佳化。SQJ汽車用MOSFET具有非常低的RDS(on)，可在-55°C至175°C溫度範圍內作業。這些汽車級MOSFET採用PowerPAK® SO-8L封裝，分為單/雙組態。裝置的典型應用包括汽車、引擎管理、馬達驅動器和致動器，以及電池管理。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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