SIZ340DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZ340DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 3,000

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6,000
預期1/5/2026
工廠前置作業時間：
10
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$11.84 HK$11.84
HK$7.46 HK$74.60
HK$4.96 HK$496.00
HK$3.95 HK$1,975.00
HK$3.60 HK$3,600.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$3.16 HK$9,480.00
HK$2.86 HK$17,160.00
HK$2.73 HK$24,570.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3-8
N-Channel
2 Channel
30 V
30 A, 40 A
9.5 mOhms, 5.1 mOhms
- 16 V, 20 V
1 V
19 nC, 35 nC
- 55 C
+ 150 C
16.7 W, 31 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 7 ns, 7 ns
互導 - 最小值: 37 S, 60 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 55 ns, 82 ns
系列: SIZ
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 16 ns, 20 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns, 22 ns
每件重量: 143.050 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

整合式MOSFET解決方案

Vishay整合式MOSFET解決方案將多項元件整合至單一晶片，使其擁有更高的功率密度和效率，設計更簡化，而且還能減少材料清單 (BOM) 成本。這些單晶和多晶MOSFET整合了蕭特基二極體與ESD防護等功能。這些MOSFET具備低導通電阻的N和P通道TrenchFET®技術，以及低熱阻。

PowerPAIR®雙重MOSFET

Vishay PowerPAIR®雙重MOSFET結合經過最佳化的MOSFET組合，整合至同一個尺寸小巧的封裝內。共同封裝的PowerPAIR雙重MOSFET比起分開的獨立裝置，佔用空間更少，效能更出色。本裝置將兩個MOSFET結合放入PowerPAIR封裝內，配置更為簡單，可減少來自PCB走線的寄生電感，進而提高效率。 

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