SISS70DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISS70DN-T1-GE3
SISS70DN-T1-GE3

製造商:

說明:
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

ECAD模型:
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庫存量: 5,990

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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲(訂購多個3000)

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
HK$15.62 HK$15.62
HK$9.95 HK$99.50
HK$6.71 HK$671.00
HK$5.32 HK$2,660.00
HK$4.92 HK$4,920.00
完整捲(訂購多個3000)
HK$4.23 HK$12,690.00
HK$4.02 HK$36,180.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK1212-8
N-Channel
1 Channel
125 V
31 A
29.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15.3 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 10 ns
互導 - 最小值: 16 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 9 ns
系列: SISS
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
每件重量: 1 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SISS7xDN TrenchFET MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETs use TrenchFET® with ThunderFET technology that optimizes the balance of RDS, QG, QSW, and QOSS. These MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. The SISS7xDN TrenchFET MOSFETs find applications in primary side switching, synchronous rectification, DC/DC converters, motor drive control, and load switches. These MOSFETs are available in PowerPAK 1212-8S package.