SISF04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF04DN-T1-GE3
SISF04DN-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

規格書:
ECAD模型:
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完整捲（訂購多個3000）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$16.44 HK$16.44
HK$10.44 HK$104.40
HK$6.98 HK$698.00
HK$5.72 HK$2,860.00
HK$5.01 HK$5,010.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$4.60 HK$13,800.00
HK$4.18 HK$25,080.00
HK$4.13 HK$37,170.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
30 V
108 A
4 mOhms
- 12 V, 16 V
2.3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 6 ns
互導 - 最小值: 115 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 21 ns
系列: SISF
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 12 ns
每件重量: 1 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

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