SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1

製造商：

說明：
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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HK$2.35 HK$14,100.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-6
N-Channel
1 Channel
24 V
11 A
28 mOhms
- 12 V, 12 V
400 mV
- 55 C
+ 150 C
5.7 W
Enhancement
Reel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 12 us
互導 - 最小值: 15 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 3.5 us
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 25 us
標準開啟延遲時間: 1.5 us
每件重量: 128.380 mg
找到產品:
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

整合式MOSFET解決方案

Vishay整合式MOSFET解決方案將多項元件整合至單一晶片，使其擁有更高的功率密度和效率，設計更簡化，而且還能減少材料清單 (BOM) 成本。這些單晶和多晶MOSFET整合了蕭特基二極體與ESD防護等功能。這些MOSFET具備低導通電阻的N和P通道TrenchFET®技術，以及低熱阻。

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

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