似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

SI4459ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4459ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI4459ADY-T1-GE3
Price: 25.73 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

781-SI4459ADY-T1-GE3

製造商編號：

SI4459ADY-T1-GE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

規格書:

SI4459ADY-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay Semiconductors SI4459ADY-T1-GE3的資訊

庫存量: 176

庫存：: 176

可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
在途量:: 10,000

預期23/2/2026

5,000

預期23/7/2026
工廠前置作業時間：: 16

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$25.73	HK$25.73
	HK$16.69	HK$166.90
	HK$11.59	HK$1,159.00
	HK$9.78	HK$4,890.00
	HK$9.62	HK$9,620.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$8.22	HK$20,550.00
	HK$7.90	HK$39,500.00
25,000	報價

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOIC-8
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	29 A
Rds On - 漏-源電阻:	5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	129 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	7.8 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降時間:	20 ns
互導 - 最小值:	24 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	16 ns
系列:	SI4
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	80 ns
標準開啟延遲時間:	16 ns
零件號別名:	SI4459ADY-GE3
每件重量:	750 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SI4459ADY-T1-GE3 規格書

Application Notes

Mounting LITTLE FOOT‚ SO-8 Power MOSFETs

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V_GS and V_DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R_gand UIS tested.