SGT240R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT240R70ILB
SGT240R70ILB

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
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規格書:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
10 A
240 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2 nC
- 55 C
+ 150 C
76 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: Not Available
下降時間: 6 ns
封裝: Reel
產品: FET
產品類型: GaN FETs
上升時間: 5 ns
系列: SGT
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
類型: PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間: 4 ns
標準開啟延遲時間: 2 ns
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

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