SCT4036DEC11

ROHM Semiconductor
755-SCT4036DEC11
SCT4036DEC11

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

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規格書:
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庫存量: 450

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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$109.98 HK$109.98
HK$66.75 HK$667.50
HK$57.29 HK$5,729.00
HK$55.24 HK$24,858.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
1 Channel
750 V
42 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
72 nC
+ 175 C
136 W
Enhancement
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 11 ns
互導 - 最小值: 10 S
封裝: Tube
產品: Power MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 22 ns
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 28 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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