SCT020HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT020HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020HU120G3AG
Price: 168.59 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SCT020HU120G3AG

製造商編號：

SCT020HU120G3AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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規格書:

SCT020HU120G3AG 規格書 (PDF)

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數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$168.59	HK$168.59
	HK$139.66	HK$1,396.60
	HK$120.75	HK$12,075.00
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	HU3PAK-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	28 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	121 nC
最低工作溫度:	- 55 C
Pd - 功率消耗 :	555 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	34 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	57 ns
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	101 ns
標準開啟延遲時間:	54 ns

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規格書

SCT020HU120G3AG 規格書 (PDF)

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.