SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AG

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
完成您的設計

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於STMicroelectronics SCT012W90G3-4AG的資訊

庫存量: 640

庫存：
640 可立即送貨
工廠前置作業時間：
17 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$170.57 HK$170.57
HK$145.41 HK$1,454.10
HK$125.77 HK$12,577.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
110 A
15.8 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
138 nC
- 55 C
+ 200 C
625 W
Enhancement
AEC-Q101
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 16 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 43 ns
原廠包裝數量: 1
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 41 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽車級碳化矽功率 MOSFET

STMicroelectronics 汽車級碳化矽功率MOSFET 採用ST 先進及創新的第二代／第三代SiC MOSFET技術開發。這些裝置 的單位面積導通電阻低，開關 性能非常好。這些MOSFET具有非常高的操作溫度能力 (TJ=200°C)，以及非常快速且堅固的本征體二極管。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。