RD3E08BBJHRBTL

ROHM Semiconductor
755-RD3E08BBJHRBTL
RD3E08BBJHRBTL

製造商:

說明:
MOSFET TO252 P-CH 30V 80A

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$28.28 HK$28.28
HK$18.41 HK$184.10
HK$14.14 HK$1,414.00
HK$11.84 HK$5,920.00
HK$11.34 HK$11,340.00
完整捲(訂購多個2500)
HK$9.62 HK$24,050.00
HK$9.54 HK$47,700.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
30 V
80 A
3.7 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
142 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 180 ns
互導 - 最小值: 20 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 27 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 220 ns
標準開啟延遲時間: 19 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.