NVMFS6H818NT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NT1G
Price: 27.62 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

863-NVMFS6H818NT1G

製造商編號：

NVMFS6H818NT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET TRENCH 8 80V NFET

規格書:

NVMFS6H818NT1G 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$27.62	HK$27.62
	HK$18.41	HK$184.10
	HK$13.15	HK$1,315.00
	HK$11.67	HK$5,835.00
	HK$11.51	HK$11,510.00
完整捲（訂購多個1500）
	HK$9.62	HK$14,430.00
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SO-8FL-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	123 A
Rds On - 漏-源電阻:	3.7 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	46 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	136 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	21 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	98 ns
系列:	NVMFS6H818N
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	49 ns
標準開啟延遲時間:	22 ns
每件重量:	750 mg

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規格書

NVMFS6H818NT1G 規格書

Models

NVMFS6H818NT1G Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ R_DS(on)resistance ranges. Features include low R_DS(on) to minimize conduction losses, low Q_G, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

Trench8 MOSFET

安森美半導體Trench8 MOSFET具有低最大導通電阻(R_DS(ON)、超低柵極電荷(Q_g)和低(Q_g) x R_DS(ON)，即功率轉換應用中使用的MOSFET的關鍵品質因數 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基於T6技術的優化開關性能，與Trench6系列相比，Q_G和Q_oss降低了35%至40%。