NTMFS4D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D2N10MDT1G
Price: 24.66 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

863-NTMFS4D2N10MDT1G

製造商編號：

NTMFS4D2N10MDT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

規格書:

NTMFS4D2N10MDT1G 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$24.66	HK$24.66
	HK$17.26	HK$172.60
	HK$12.00	HK$1,200.00
	HK$10.60	HK$5,300.00
	HK$10.19	HK$10,190.00
完整捲（訂購多個1500）
	HK$8.63	HK$12,945.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SO-8FL-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	113 A
Rds On - 漏-源電阻:	4.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	25 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	132 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PowerTrench
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	onsemi
產品類型:	MOSFETs
系列:	NTMFS4D2N10MD
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors

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規格書

NTMFS4D2N10MDT1G 規格書

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PowerTrench技術

安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.