NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS1D3N04XMT1G
NTMFS1D3N04XMT1G

製造商：

說明：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$15.86 HK$15.86
HK$11.51 HK$115.10
HK$7.87 HK$787.00
HK$6.44 HK$3,220.00
完整捲（訂購多個1500）
HK$6.02 HK$9,030.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
195 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
38.5 nC
- 55 C
+ 175 C
90 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 5.47 ns
互導 - 最小值: 105 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6.27 nC
系列: NTMFS1D3N04XM
原廠包裝數量: 1500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 29.2 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

40V功率MOSFET

安森美 (onsemi)  40V功率MOSFET 採用標準閘級技術，並擁有一流的導通電阻。安森美 (onsemi) MOSFET適用於發動機驅動器應用。這些器件可有效將導通和驅動損耗降至最低，具備較低的導通電阻和減少的閘極電荷。此外，MOSFET對於晶體二極體的反向恢復具有出色的軟度控制，可有效減輕電壓尖峰應力，無需在應用中額外設置阻尼電路。

PowerTrench技術

安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。

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