NTH4L012N065M3S

onsemi
863-NTH4L012N065M3S
NTH4L012N065M3S

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於onsemi NTH4L012N065M3S的資訊

供貨情況

庫存：
0

您仍可購買此商品作為延期交貨訂單。

在途量:
450
預期6/3/2026
工廠前置作業時間：
53
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$163.99 HK$163.99
HK$134.89 HK$1,348.90
HK$116.64 HK$13,996.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
102 A
17 mOhms
- 10 V, 22.6 V
4 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 12 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFET
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 23 ns
系列: NTH4L012N065M3S
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 49 ns
標準開啟延遲時間: 5 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

650V EliteSiC（碳化矽）MOSFET

安森美 (onsemi) 650V EliteSiC（碳化矽）MOSFET採用的技術與矽相比可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的晶片尺寸確保了低電容和閘極電荷。因此，系統優勢包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。由於採用了開爾文源配置和較低的寄生源電感，安森美 (onsemi) TOLL封裝具有更高的熱性能和出色的開關性能。TOLL具有1級濕度敏感度 (MSL 1)。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。