MRFE6VP5600HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP5600HR5
MRFE6VP5600HR5

製造商：

說明：
RF MOSFET晶體管 VHV6 600W 50V NI1230H

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
NXP
產品類型: RF MOSFET晶體管
RoHS:  
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: NXP Semiconductors
Pd - 功率消耗 : 1.667 kW
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: MRFE6VP5600H
原廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 閘極-源極電壓: + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.7 V
零件號別名: 935310538178
每件重量: 13.155 g
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VP6 50V RF LDMOS功率電晶體

Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H及MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率電晶體是專為高電壓駐波比(VSWR)的應用而設。MRFE6VP61K25H提供1250W的輸出功率，故此非常適合環境苛刻的應用。Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H RF LDMOS功率電晶體獲特別強化的耐用性，故此設計人員可毋須如過往般額外使用外接電路，從而在降低整體系統成本之餘，又能提升系統表現。MRFE6VP61K25H專為在高度錯配的應用中支持嚴格的操作環境，例如等離子產生器、CO2激光以及MRI功率放大器。Freescale MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率電晶體設計為在界乎1.8至600 MHz頻率的應用中操作，並特別調較為適合於抗阻錯配的情況下使用，例如CO2激光、等離子產生器以及MRI掃描器。MRFE6VP6300H能夠將300 W CW全額定輸出功率傳送到65:1電壓駐波比(VSWR)的負載，是首款達到此效能的50V LDMOS電晶體。
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